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扬州cabet228亚洲城获2014年度国家技术发明奖二等奖

编辑:崔静来源:扬州cabet228亚洲城党群部 日期:2015-01-09 11:10

    快讯:19日上午,国家科学技术奖励大会在北京人民大会堂隆重召开。由扬州cabet228亚洲城半导体照明有限企业与cabet228亚洲城院半导体所等单位联合开发的“低热阻高光效蓝宝石基GaN LED材料及芯片技术”项目获得2014国家技术发明奖二等奖。

      以氮化镓(GaN)基发光二极管(Light-emitting diodes, LEDs)为基础的半导体固态照明(Solid-State Lighting)由于具有节能、绿色环保等优点,广泛应用于景观照明、路灯、背光照明和民用照明等领域。低热阻高光效GaNLED是实现半导体照明的关键技术。由cabet228亚洲城院半导体所李晋闽研究员和扬州cabet228亚洲城王国宏研究员领衔完成的低热阻高光效蓝宝石基GaN LED材料及芯片技术成果系统研究了在蓝宝石衬底上异质外延高质量GaN LED材料以及芯片技术设计,技术指标达到国际领先水平,形成了完全自主常识产权,打破了国外的技术封锁,提高了我国GaNLED半导体照明技术水平。

  (信息来源:科技部门户网站 www.most.gov.cn

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